• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
ФКН
Контакты

Москва, ул. Ст. Басманная, д. 21/4, стр.5

Как добраться

Тел: +7(495)772-95-90, доб.15250,15169

e-mail: facultyofphysics@hse.ru 

Руководство
Заместитель декана Джанибекова Сапият Хисаевна
Факультет физики: Заместитель декана Пономарев Александр Александрович
Факультет физики: Диспетчер Исаева Надежда Юрьевна
Статья
Resistive Anomaly near a Ferromagnetic Phase Transition: A Classical Memory Effect

Maslov D. L., Vladimir I. Yudson, Batista C. D.

Physical Review Letters. 2025. Vol. 135. No. 3.

Статья
Low-frequency dynamics of LiCu3⁢O3: An antiferromagnet on a strongly depleted square lattice

S. K. Gotovko, Ivanova A. G., P. S. Kudimkina et al.

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2025. Vol. 111. No. 6.

Статья
Hybrid modes in the antiferromagnet|ferromagnet heterostructure

Meshcheryakov A., A.R. Safin, Kalyabin D. et al.

Physics of the Solid State. 2025. Vol. 67. No. 1. P. 72-77.

Статья
Heat capacity and other thermodynamic properties of hcp-CrH and hcp-CrD
В печати

Vladimir E. Antonov, Kuzovnikov M. A., Kulakov V. I. et al.

International Journal of Hydrogen Energy. 2025. Vol. 116. P. 507-515.

Статья
Effects of angular scattering and H+p, H+H collisions on the properties of interstellar atoms in the heliosphere

A.V. Titova, V.V. Izmodenov, S.D. Korolkov.

Publications of the Astronomical Society of Australia. 2025. Vol. 42.

Статья
Current flow in topological insulator Josephson junctions due to imperfections

Piasotski K., Lesser O., Reich A. et al.

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2025. Vol. 111. No. 17.

Статья
Calculations of pathways of precise P incorporation into chlorinated Si(100) surface

T. V. Pavlova.

Journal of Chemical Physics. 2025. Vol. 162. No. 19. P. 194701-194701.

Статья
All fractional Shapiro steps in the RSJ model with two Josephson harmonics

Tsarev P. N., Yakov V. Fominov.

SCIPOST PHYSICS. 2025. Vol. 19. No. 6.

Статья
Expanding the operational temperature window of a superconducting spin valve

Kamashev A. A., Garif’yanov N. N., Validov A. A. et al.

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2024. Vol. 109. No. 14.

Статья
Deformation of a Néel-type skyrmion in a weak inhomogeneous magnetic field: Magnetization Ansatz and interaction with a Pearl vortex

S.S. Apostoloff, Andriyakhina E., I.S. Burmistrov.

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2024. Vol. 109. No. 10.

Статья
Correlations in a weakly interacting two-dimensional random flow

Kolokolov I., Lebedev V., Parfenyev V.

Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics. 2024. Vol. 109. No. 3.

Статья
All-sky limits on sterile neutrino galactic dark matter obtained with SRG/ART-XC after two years of operations

Zakharov, E.I., Barinov V. V., Burenin, R.A. et al.

Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology. 2024. Vol. 109. No. 2.

Статья
Dusty plasmas above the sunlit surface of Mercury

S. I. Popel, Golub' A. P., L. M. Zelenyi.

Physics of Plasmas. 2023. Vol. 30. No. 4.

Статья
Observation of Linear and Nonlinear Light Localization at the Edges of Moiré Arrays

A. A. Arkhipova, Kartashov Y. V., Ivanov S. K. et al.

Physical Review Letters. 2023. Vol. 130. No. 8.

Статья
Analysis of the efficiency of MHD cycle supported by nanosecond pulsed discharge pre-ionization

Starikovskiy A., N L Aleksandrov, Shneider M.

Plasma Sources Science and Technology. 2023. Vol. 32. No. 3.

Статья
Pair Correlation Function of Vorticity in a Coherent Vortex

I. V. Kolokolov, V. V. Lebedev, M. M. Tumakova.

JETP Letters. 2023. Vol. 117. No. 2. P. 122-125.

Статья
Peculiarities of the density of states in SN junctions

Mazanik A., Fominov Ya.V.

Annals of Physics. 2023. Vol. 449.

Новый материал для сверхбыстрой электроники исследуется студентами факультета физики во главе с академическим руководителем ОП «Физика», профессором А.Ю. Кунцевичем

В интернет-издании "Известия" вышел материал о важных научных исследованиях, в которых принимают участие студенты и преподаватели факультета физики

Новый материал для сверхбыстрой электроники исследуется студентами факультета физики во главе с академическим руководителем ОП «Физика», профессором А.Ю. Кунцевичем

Артём Доев

Полный текст статьи можно найти на сайте издания. В нашем материале мы представим основное содержание этой статьи.

В России получили материал, который может стать основой для компактных суперкомпьютеров, высокоточных детекторов и сверхбыстрой электроники. В его основе — нанопленки из аморфного рения, которые устойчивы к воздействия и обладают свойством сверхпроводимости при относительно высоких температурах. Над проектом работали ученые из Физического института им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН), Высшей школы экономики и Московского физико-технического института.

— Аморфные металлы имеют неупорядоченную структуру, что придает им новые свойства. В случае рения это привело к усилению сверхпроводимости. Сверхпроводники — это материалы, электрическое сопротивление которых при сверхнизких температурах становится равным нулю. В кристаллическом виде рений — тоже сверхпроводник, но его критическая температура (при которой возникает это состояние) довольно низкая — около 1,5 градуса по Кельвину. В аморфной же форме она подскочила до 7–8К, — рассказал «Известиям» доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник ФИАН и профессор факультета физики НИУ ВШЭ Александр Кунцевич.

В целом сверхпроводимостью обладает почти половина химических элементов, но для реальных применений подходят немногие. Чтобы завоевать «место под солнцем», материал должен обладать уникальными свойствами, объяснил ученый. В частности, кристаллический рений — одно из самых тугоплавких и плотных простых веществ. Чтобы его испарить и напылить тонкую пленку, ученые нагрели вещество сфокусированным пучком электронов в вакууме. Благодаря этой технологии были получены стабильные аморфные пленки толщиной в несколько десятков нанометров, подходящие для практических разработок.

Кроме того, рений устойчив к окислению и не покрывается оксидной пленкой. Вместе с тем его высокая критическая температура дает возможность применять для работы с ним наиболее дешевые системы охлаждения.

Эти свойства открывают возможность создавать на основе аморфного рения различные перспективные устройства — например, сверхпроводящие транзисторы. Как пояснил Александр Кунцевич, транзистор управляет потоком электронов, но в случае сверхпроводников речь идет о «сверхтоках», которые не рассеивают тепло и обеспечивают значительно более высокую скорость переключения по сравнению с обычной электроникой.

— Одна из идей состоит в том, чтобы соединить аморфный рений с графеном — сверхтонким слоем углерода толщиной в один атом. Когда сверхпроводник контактирует с этим материалом, его сверхпроводимость на некоторую глубину «проникает» в графен, — пояснил Александр Юрьевич.

Благодаря этому в случае графена появляется возможность управлять данным свойством с помощью электрического поля, отметил он. При этом рений в отличие от ниобия или алюминия не подвержен воздействию внешних факторов — например, окислению на воздухе. Поэтому серийное производство устройств на его основе становится вполне достижимой задачей.

По словам ученого, с помощью таких «быстрых» транзисторов можно обеспечить сопряжение сверхпроводниковой электроники с обычной кремниевой полупроводниковой. В частности, одна из ключевых проблем современных квантовых и классических суперкомпьютеров заключается в сложности их внешнего управления, поскольку для этого требуется большое количество проводов.

Сверхпроводящие транзисторы на основе рения и графена позволят обычным компьютерам, работающим при комнатной температуре, в режиме реального времени управлять конфигурацией устройств, функционирующих при температурах жидкого гелия (около 4К и ниже), например квантовых. Это открывает путь к созданию вычислительных систем, которые могут стать доступными для массового использования.

— Если помечтать и предположить в будущем уменьшение криостатов (охладителей) до настольных размеров, то на их основе можно разработать гибридные вычислители с огромной производительностью. Такие «смарт»-устройства произведут революцию в суперкомпьютерных технологиях, сделав их мобильными и персональными. Например, на них можно установить локализованные системы искусственного интеллекта, которые работают без интернета и облачных ресурсов, — сообщил Александр Кунцевич.

Он отметил, что, помимо сверхпроводящих транзисторов, полученный материал может быть востребован при производстве миниатюрных магнитов и сенсоров для измерения слабых излучений и магнитных полей.