Цель коллектива — развитие технологий на основе материалов толщиной от одного атома (таких как графен и дихалькогениды переходных металлов) для создания электроники нового поколения.

Ключевые направления исследований:

• Создание широкополосных фотодетекторов на основе CVD-графена.
• Поиск и стабилизация двумерных материалов, устойчивых к старению и воздействию атмосферы, для практического применения.
• Разработка мемристоров на основе дисульфида тантала (TaS₂) — основы будущей нейроморфной электроники.
• Конструирование высокочувствительных транзисторных сенсоров (фото- и хемосенсоров) из дисульфида молибдена (MoS₂) с использованием безбарьерных контактов.
• Исследование дихалькогенидов переходных металлов для применения в фотонике.

Проект имеет как исследовательскую, так образовательную составляющую. Теоретические работы будут подкрепляться созданием рабочих прототипов и комплексными физическими экспериментами. Деятельность НУГ направлена как на получение новых фундаментальных знаний, так и на подготовку высококвалифицированных кадров из числа студентов и аспирантов.