Семинар НУГ: «Зондовая микроскопия со сканирующим затвором в вязкой электронной жидкости»
18 декабря 2019 г. в 17:00 в аудитории ИТФ РАН состоится очередной семинар научно-учебной группы. С докладом по статье выступит Евгений Тихонов.
Экспериментально изучается транспорт в Ga[Al]As гетероструктуре в диапазоне температур от 30 мК до 30 К. Повышение температуры усиливает электрон-элекронное рассеяние, что приводит к проявлению вязких эффектов в двумерном электронном газе. Для изучения этого режима измеряются так называемые напряжения близости, а для создания локального перемещаемого возмущения используется находящаяся под напряжением сканирующая игла. Обнаружено, что изображения, полученные при помощи сканирующего затвора, позволяют надежно отличить друг от друга различные режимы электронного транспорта. Полученные данные находятся в хорошем согласии с недавними теориями для взаимодействующей электронной жидкости в баллистическом и вязком режимах, которые были разработаны в связи результами, полученными в графене. Однако, диапазон температур и плотностей электронной системы, в которых проявляются вязкие эффекты в Ga[Al]As, значительно отличаются от соответствующих диапазонов для графена.